最近有消息稱，三星將在5月24日的晶圓廠商論壇活動中公布其全新研發(fā)的MRAM，即磁阻式隨機存儲器。
據(jù)悉，新的MRAM速度比普通閃存快10萬倍，更重要的一個特征是不會丟失數(shù)據(jù)。該技術(shù)由三星和IBM在去年7月首次公開展示。
而就在研發(fā)過程中，三星還加入了自旋轉(zhuǎn)矩技術(shù)，可以大降低功耗。這項突破使得MRAM有條件運用到對功耗要求更敏感的移動設備上來，比如讓手機實現(xiàn)內(nèi)存、閃存的二合一。
MRAM
不過有關(guān)該技術(shù)的更多具體信息，現(xiàn)在并沒有大范圍公開，我們也只能期待三星能在5月給業(yè)界帶來一些驚喜，這或許會成為一個新的契機。
事實上，對于非易失性內(nèi)存的研發(fā)、應用和普及，業(yè)界已經(jīng)期待了多年，但是不論在研發(fā)上還是商業(yè)化上，目前都沒有一個完美的解決方案，所以整個業(yè)界對此也相當謹慎。
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